====== Полупроводниковые газовые сенсоры ======
{{:tep:sensors.jpg?nolink |Рабочие элементы полупроводниковых газовых сенсоров}}
=== Рабочие элементы полупроводниковых газовых сенсоров ===

----

**Область применения:**

Разработанные полупроводниковые газовые сенсоры могут использоваться для детектирования и количественного мониторинга присутствия активных донорно-акцепторных газов в воздушной и иной газовой среде.
 
**Краткая суть разработки:**

Сенсорные элементы формируются на подложке монокристаллического кремния и включают трафаретную встречно-штырьевую систему платиновых измерительных электродов, платиновый пленочный нагреватель, полученные магнетронным напылением, и чувствительный слой на основе индивидуальных оксидов или композитов (WO<sub>3</sub>, VO<sub>2</sub>, La<sub>1-x</sub>Pb<sub>x</sub>MnO<sub>3</sub>), сформированный по керамической технологии.
 
**Основные преимущества:**

Разработанные полупроводниковые сенсоры характеризуются повышенной селективностью в отношении отдельных газов в зависимости от химического состава чувствительного слоя, а также пониженными рабочими температурами, что позволяет уменьшить энергопотребление в режиме эксплуатации.
 
**Технические характеристики:**

Полупроводниковые сенсоры позволяют определять концентрацию таких газов, как аммиак, оксид углерода, диоксид азота, пары органических спиртов и ряда растворителей при их содержании в атмосфере 102-105 ppm при температурах рабочего слоя 450-600°К. Средняя продолжительность регенерации рабочей поверхности датчика без дополнительного нагрева в режиме прокачки воздухом составляет 0,5-5 мин. Размер рабочего кристалла 1х1 мм.
 
**Сравнение с аналогами:**

Использование разработанных газовых сенсоров позволяет селективно детектировать присутствие в воздушной среде ряда активных газов при пониженной температуре рабочего слоя датчика.
 
**Значимость для Республики Беларусь:**

Полупроводниковые датчики могут быть использованы для эффективного мониторинга воздушной среды.
 
**Экономические показатели:**

Использование композиционных оксидных чувствительных слоев обеспечивает снижение энергопотребления датчика в режиме эксплуатации по сравнению с коммерческими аналогами на 20-30 %.
 
**Коммерческое предложение:**

Сотрудничество созданию мелкосерийных производств полупроводниковых газовых датчиков 

**Авторы**: Шишкин Н.Я., Башкиров Л.А., Черкасов В.А., Комаров А.А., [[богомазова_наталья_валентиновна|Богомазова Н.В.]]\\ 
220050, г.Минск, ул. Свердлова 13а, кафедра [[https://www.belstu.by/Faculties/htit/htet/tabid/497.html|химии, технологии электрохимических производств и материалов электронной техники]],\\ 
Телефон:+375(17)226-02-82, +375(17)227-31-50,\\ 
E-mail: [[nbogom@belstu.by|nbogom@belstu.by]]

 --- //[[vmatys@open.by|Владимир Матыс]] 2014/06/11 01:23//